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    深圳市华商检测技术有限公司

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  • 姓名: 陈霞
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    静电放电(ESD)

  • 所属行业:商务服务 中介服务
  • 发布日期:2021-11-02
  • 阅读量:172
  • 价格:面议
  • 产品规格:不限
  • 产品数量:1.00 个
  • 包装说明:不限
  • 发货地址:广东深圳龙华区  
  • 关键词:静电放电(ESD)

    静电放电(ESD)详细内容

    静电放电(ESD)的模型以及工业测试标准,因ESD产生的原因及其放电的方式不同,ESD目前大体上被分为下列四类:
    (1) 人体放电模型 (Human-Body Model, HBM)
    (2) 机器放电模型 (Machine Model, MM)
    (3) 元件充电模型 (Charged-Device Model, CDM)
    (4) 电场感应模型 (Field-Induced Model, FIM)


    下面是四类静电放电现象详加说明,并比较各类放电现象的电流大小:
    1 人体放电模型 (Human-Body Model, HBM) :
    人体放电模型(HBM)的ESD是指因人体在地上走动摩擦或其他因素在人体上已累积了静电,当此人去碰触到IC
    时,人体上的静电便会经由IC的脚(pin)而进入IC内,再经由IC放电到地去,如图所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时间内产生数安培的瞬间放电电流,此电流会把IC内的元件给烧毁。不同HBM静电电压相对产生的瞬间放电电流与时间的关系。对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言,其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。

      CLASSIFICATION Sensitivity
      Class 1                   0 to 1,999 Volts
      Class 2                   2,000 to 3,999 Volts
      Class 3                   4,000 to 15,999 Volts

    人体放电模型(HBM)的工业标准测试等效电路和耐压能力等级分类


    2 机器放电模型 (Machine Model, MM)
    机器放电模型的ESD是指机器(例如机械手臂)本身累积了静电,当此机器去碰触到IC时,该静电便经由IC的pin放电。此机器放电模式的工业测试标准为 EIAJ-IC-121 method20,其等效电路图如图所示:

    CLASS      STRESS LEVELS
    M0           0 to <50V
    M1           50 to <100V
    M2          100 to <200V
    M3          200 to <400V
    M4          400 to <800V
    M5         >800V

    机器放电模型(MM)的工业标准测试等效电路及其耐压能力等级分类:
         因为大多数机器都是用金属制造的,其机器放电模型的等效电阻为0Ω,但其等效电容定为200pF。由于机器放电模型的等效电阻为0,故其放电的过程更短,在几毫微秒到几十毫微秒之内会有数安培的瞬间放电电流产生。有关2-KV HBM与200-V MM的放电电流比较,显示于图中。


    虽然HBM的电压2 KV比MM的电压200V来得大,但是200-V MM的放电电流却比2-KV HBM的放电电流来得大很多,因此机器放电模式对IC的破坏力更大。在图中,该200-V MM的放电电流波形有上下振动(Ring)的情形,是因为测试机台导线的杂散等效电感与电容互相耦合而引起的。

        人体放电模型(2-KV) 与机器放电模型(200V) 放电电流的比较图另外在国际电子工业标准 (EIA/JEDEC STANDARD) 中,亦对此机器放电模型订定测试规范 (EIA/JESD22-A115-A),详细情形请参阅该工业标准。


    3、 元件充电模型 (Charged-Device Model, CDM)
    此放电模式是指IC先因摩擦或其他因素而在IC内部累积了静电,但在静电累积的过程中IC并未被损伤。此带有静电的IC在处理过程中,当其pin去碰触到接地面时,IC内部的静电便会经由pin自IC内部流出来,而造成了放电的现象。
    此种模型的放电时间更短,仅约几毫微秒之内,而且放电现象更难以真实的被模拟。因为IC内部累积的静电会因IC元件本身对地的等效电容而变,IC摆放的角度与位置以及IC所用的包装型式都会造成不同的等效电容。由于具有多项变化因素难定,因此,有关此模型放电的工业测试标准仍在协议中,但已有此类测试机台在销售中。该元件充电模型(CDM) ESD可能发生的原因及放电的情形显示于下面图中。

        Charged-Device Mode静电放电可能发生的情形。IC自IC管中滑出后,带电的IC脚接触接到地面而形成放电现象。

    4 、电场感应下面(Field-Induced Model, FIM)
           此FIM模型的静电放电发生是因电场感应而起的,当IC因输送带或其他因素而经过一电场时,其相对极性的电荷可能会自一些IC脚而排放掉,等IC通过电场之后,IC本身便累积了静电荷,此静电荷会以类似CDM的模式放电出来。有关FIM的放电模型早在双载子(bipolar)电晶体时代就已被发现,现今已有工业测试标准。在国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD) 中,亦已对此电场感应模型订定测试规范 (JESD22-C101),详细情形请参阅该工业标准。


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